SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)開發(fā)并設(shè)計(jì)適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極和一個(gè)全部控制...
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)具有堅(jiān)固的設(shè)計(jì)、可靠性和靈活的軟硬件。該系統(tǒng)開發(fā)了多種工藝，例如高品質(zhì)氮化硅和氧化硅層沉積。該系統(tǒng)包括...
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)代表了感應(yīng)耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業(yè)領(lǐng)域的前沿地位，用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅...
SILAYO PEALD 光學(xué)涂層原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SILAYO PEALD 光學(xué)涂層原子層沉積系統(tǒng)擴(kuò)展了 SENTECH ALD 和 PEALD 產(chǎn)品組合，適用于 330 毫米基底和三維基底的沉積。
SI PEALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SI PEALD等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)能夠在低溫下均勻且貼合地涂層敏感基底和層。樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，無需紫外線或離子轟擊。
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備 參考價(jià)：面議
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)，適用于III/V半導(dǎo)體和Si加工工藝，具備高均勻性和優(yōu)重復(fù)性的蝕刻工藝。其主要特點(diǎn)包括預(yù)真空鎖loadlo...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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