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nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng) 參考價：面議
nano Etch反應(yīng)離子（RIE）刻蝕系統(tǒng)，專為石墨烯和2D材料的高精度加工設(shè)計。nanoETCH具備高精度射頻源和毫瓦級功率控制，能實現(xiàn)逐層刻蝕及層內(nèi)缺陷制...
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備 參考價：面議
SI 591反應(yīng)離子刻蝕（RIE）設(shè)備采用模塊化設(shè)計，適用于III/V半導(dǎo)體和Si加工工藝，具備高均勻性和優(yōu)重復(fù)性的蝕刻工藝。其主要特點包括預(yù)真空鎖loadlo...
AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備 參考價：面議
AEH系列單片濕法刻蝕設(shè)備，以精準化學(xué)刻蝕去除晶圓材料，具備高精度、低污染優(yōu)勢，適配 4-12 英寸晶圓，可用于優(yōu)良封裝、化合物半導(dǎo)體等多工藝場景。
PlasmaPro 100 Cobra感應(yīng)耦合等離子刻蝕 參考價：面議
PlasmaPro 100 Cobra感應(yīng)耦合等離子刻蝕是英國牛津儀器公司推出的一款高性能、高靈活性的電感耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)。它主要服務(wù)于優(yōu)良半導(dǎo)體、微機電系...
NMC 508RIE介質(zhì)等離子刻蝕機 參考價：面議
NMC 508RIE介質(zhì)等離子刻蝕機為電容耦合等離子體干法刻蝕機，適用6/8英寸介質(zhì)層刻蝕工藝，具有高刻蝕速率和均勻性，工藝類型覆蓋前道和后道所有介質(zhì)刻蝕。該機...
NMC 508M金屬等離子刻蝕機 參考價：面議
NMC 508M金屬等離子刻蝕機，適用6/8英寸金屬干法刻蝕工藝。具備良好的鋁線形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢。該機臺為多腔室集...
NMC 508CG多晶硅等離子硅刻蝕機 參考價：面議
NMC 508CG多晶硅等離子硅刻蝕機適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優(yōu)勢。該機臺為...
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