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AIX G5 WW C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX G5 WW C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6 英寸 SiC 功率器件量產(chǎn)的行星式 MOCVD 設(shè)備，主打高產(chǎn)能、高均勻性與低成本，是車規(guī)級(jí)碳化硅...
AIX 2800G4-TM CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX 2800G4-TM CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP 光電器件與射頻器件的量產(chǎn)型行星式 MOCVD 設(shè)備，主打高均勻性、高產(chǎn)能與低單片...
AIX G5+ C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
AIX G5+ C CVD化合物化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一類專門用于制備化合物半導(dǎo)體材料的設(shè)備，這些材料通常由兩種或多種元素組成，如GaAs、GaN和SiC等。這些材...
G10-ASP CVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-ASP CVD砷化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向GaAs/InP 基光電器件的全自動(dòng)高性能 MOCVD 設(shè)備，主打高均勻、低缺陷、高產(chǎn)能，專為Micro LE...
G10-GaN CVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-GaN CVD氮化鎵化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是面向6/8 英寸 GaN 功率與射頻器件的新一代量產(chǎn)型 MOCVD 設(shè)備，高產(chǎn)能、高均勻性、低成本，專為新能源與 ...
G10-SiC CVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
G10-SiC CVD碳化硅化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種專門用于生產(chǎn)碳化硅（SiC）材料的設(shè)備，它采用化學(xué)氣相沉積（CVD）或其他相關(guān)技術(shù)，在特定條件下將碳和硅元素以...
PD-3800L PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-3800L PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)。
PD-220NL PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-220NL PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種負(fù)載鎖定等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非...
PD-2201LC PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PD-2201LC PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種盒式裝載等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (PECVD) 設(shè)備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和...
PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠...
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 ICPCVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于在低生長(zhǎng)溫度下生產(chǎn)高質(zhì)量的薄膜，通過(guò)高密度遠(yuǎn)程等離子體實(shí)現(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的薄膜質(zhì)量，同時(shí)減少基板...
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 100 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應(yīng)力、電學(xué)特性和濕法化學(xué)刻蝕速率的前提下，生產(chǎn)均...
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 80 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
PlasmaPro 800 PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用...
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
nano CVD-8G化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種石墨烯CVD系統(tǒng)，能夠精確控制壓力、溫度和氣體化學(xué)等條件，這對(duì)成功生產(chǎn)石墨烯至關(guān)重要。
SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SIPAR ICP化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)開(kāi)發(fā)并設(shè)計(jì)適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統(tǒng)架構(gòu)。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電極和一個(gè)全部控制...
Depolab 200 PECVD 開(kāi)放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Depolab 200 PECVD 開(kāi)放蓋化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)具有堅(jiān)固的設(shè)計(jì)、可靠性和靈活的軟硬件。該系統(tǒng)開(kāi)發(fā)了多種工藝，例如高品質(zhì)氮化硅和氧化硅層沉積。該系統(tǒng)包括...
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
SI 500 D ICPECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)代表了感應(yīng)耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業(yè)領(lǐng)域的前沿地位，用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅...
EPEE i200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
EPEE i200等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)主要用于6/8英寸氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃等薄膜沉積工藝，平臺(tái)式多反應(yīng)腔架構(gòu)，兼容Si、Si...
HORIC L200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
HORIC L200臥式低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)線8英寸及以下晶圓淀積SiN、POLY、SiO?等薄膜，設(shè)備工藝性能好、產(chǎn)能大、可靠性高，可滿足半...
Esther E320R 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Esther E320R 8英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)主要用于體硅外延、埋層外延、選擇性外延等多種特色工藝的運(yùn)行。該設(shè)備主要由傳輸系統(tǒng)模塊、工藝腔室模塊、壓力控制模...
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