磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE500DL納米膜層磁控濺射系統(tǒng)配備多個(gè)磁控濺射源，可沉積金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料，可用于濺射多層薄膜、共濺合金薄膜、反應(yīng)濺射、可選濺射楔形膜等，是材料和薄膜沉...
磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE600DL納米膜層磁控濺射系統(tǒng)是材料和薄膜沉積研發(fā)和中試的理想平臺(tái)，配備多個(gè)磁控濺射源，可沉積金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料。設(shè)備可用于濺射多層薄膜、共濺合金薄膜、...
多腔體磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE5000 多腔體磁控濺射系統(tǒng)是北京德儀天力科技發(fā)展有限公司推出的一款面向科研、中試及量產(chǎn)的材料制備設(shè)備。
中試-量產(chǎn) 磁控濺射系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE700PVD 中試-量產(chǎn) 磁控濺射系統(tǒng)，濺射距離可調(diào)，直流、脈沖直流、射頻電源、HiPIMS電源。
中試-量產(chǎn) 電子束蒸鍍機(jī) 參考價(jià)：面議
DE400P 中試-量產(chǎn) 電子束蒸鍍機(jī)優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性，高精度鍍膜速率和膜厚控制。
雙電子槍共蒸鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE500CL 雙電子槍共蒸鍍膜系統(tǒng)，優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性，高真空或超高真空鍍膜環(huán)境。
多電子槍蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE600CL 多電子槍蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性，高精度鍍膜速率和膜厚控制。
超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE400DUL 超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性，高精度鍍膜速率和膜厚控制。
多腔體電子束蒸鍍系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE3000ER 多腔體電子束蒸鍍系統(tǒng)，PLC+PC全自動(dòng)控制樣品傳輸和全部工藝流程。
電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE400DHL 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)，優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性，高精度鍍膜速率和膜厚控制。
高真空多腔室薄膜沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE3000 高真空多腔室薄膜沉積系統(tǒng)，全機(jī)PLC+PC全自動(dòng)控制，適于Fab百級(jí)凈化間、無(wú)人車間。
熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE400DL 熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)，高真空或超高真空蒸鍍環(huán)境，優(yōu)質(zhì)薄膜質(zhì)量及膜厚均勻性和重復(fù)性。
熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
DE400T 熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)，可沉積金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料、有機(jī)材料，可用于沉積單層、多層薄膜。
真空密封饋穿件 參考價(jià)：面議
真空密封饋穿件。公司核心產(chǎn)品涵蓋磁控濺射、電子束蒸鍍及熱阻蒸發(fā)等多種薄膜沉積設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、納米技術(shù)、超導(dǎo)、量子科技、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及生物薄膜等前沿領(lǐng)...
熱蒸發(fā)源 參考價(jià)：面議
微電熱蒸發(fā)源氧化鋁鍍層蒸發(fā)舟籃狀熱阻絲和坩堝折疊式蒸發(fā)舟特殊鉭舟折疊帶檔板源折疊坩堝加熱源用于SiO,ZnS材質(zhì)的擋板箱源
超導(dǎo)量子材料薄膜加工設(shè)備 參考價(jià)：面議
DE500DUL 超導(dǎo)量子材料薄膜加工設(shè)備，直流、脈沖直流、射頻電源、HiPIMS電源，樣品可高溫加熱和低溫冷卻。
UHV超高真空鋁箔 參考價(jià)：面議
UHV超高真空鋁箔，0.0015英寸(0.0381mm) 厚 x 24英寸（609mm）寬x 500英尺(152米) 長(zhǎng)（卷）。
靶材和蒸發(fā)材料 參考價(jià)：面議
靶材和蒸發(fā)材料。公司核心產(chǎn)品涵蓋磁控濺射、電子束蒸鍍及熱阻蒸發(fā)等多種薄膜沉積設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、納米技術(shù)、超導(dǎo)、量子科技、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及生物薄膜等前沿領(lǐng)...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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