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日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
日本ULVAC愛(ài)發(fā)科半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積設(shè)備
負(fù)載鎖定等離子體CVD設(shè)備CC-200
負(fù)載鎖定等離子體CVD裝置CC-200體積小且易于使用,適用于從研發(fā)到生產(chǎn)的一切。
特征
27.12MHz高密度等離子工藝
SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜
可使用CF 4 +O 2等離子體清潔腔室
與有機(jī)EL低溫成膜用加熱器兼容
通過(guò)托盤傳輸支持各種尺寸的電路板
真空箱允許在 C 系列單元之間進(jìn)行間接連續(xù)處理(濺射:CS-200,蒸發(fā):CV-200)。
目的
功率器件
LED、LD、高速器件等相關(guān)化合物
有機(jī)EL開(kāi)發(fā)
太陽(yáng)能電池開(kāi)發(fā)
微機(jī)電系統(tǒng)
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