深硅刻蝕工藝的主要過程包括：

1） 鈍化處理過程（C4F8等離子體）

一階段：由C4F8產(chǎn)生CFn聚合物沉淀在所有的表面

2） 刻蝕過程（SF6等離子體）

第二階段：由于離子體的定向運(yùn)動(dòng)，基面上的聚合物被去除的速度要比在側(cè)壁的去除速度快。

第三階段：暴露的硅表面就會(huì)被F系物刻蝕掉，SF6源源不斷提供等離子體，來實(shí)現(xiàn)深寬比的刻蝕。

深硅刻蝕的主要應(yīng)用包括: MEMS，封裝（TSV）,功率器件等等。

的深槽刻蝕設(shè)備，可以提供快的刻蝕速度，但同時(shí)保證側(cè)面特征良好控制和一致性。通過 軟件以及硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了性能的工藝控制。

parameter ramping技術(shù)：

實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)工藝過程參數(shù)，以達(dá)到佳側(cè)面輪廓。