是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。

簡單介紹

1. 用途（高頻光電導(dǎo)）

測量系統(tǒng)不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導(dǎo)方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設(shè)備，具有瞬態(tài)和準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)兩種測量模式。該設(shè)備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實(shí)現(xiàn)低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強(qiáng)偏置實(shí)現(xiàn)單晶缺陷密度計(jì)算。