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研究硅光電池伏安特性、硅光電池短路電流與開路電壓、相對強(qiáng)度的關(guān)系
閱讀：268 發(fā)布時間：2025-9-10- 電壓測量范圍：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半數(shù)顯
- 電流測量范圍：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半數(shù)顯
- 光強(qiáng)測量范圍：0-1900LUX
- 負(fù)載電阻：0-9999Ω
- 實驗項目：1.了解硅光電池的基本結(jié)構(gòu)及基本原理；2.研究硅光電池伏安特性、硅光電池短路電流與開路電壓、相對強(qiáng)度的關(guān)系。規(guī)格參數(shù)：硅光電池.半導(dǎo)體光源，暗箱電壓測量范圍：0-1.999V, 0-19.99V, 三位半數(shù)顯電流測量范圍：0-1.999mA, 0-19.99A, 三位半數(shù)顯光強(qiáng)測量范圍：0-1900LUX負(fù)載電阻：0-9999Ω
硅光電池基本特性實驗儀
反射鏡
鏡面直徑＞Φ25mm，
鏡面反射率＞90%
動鏡移動距離：100mm
動鏡讀數(shù)系統(tǒng)
動鏡范圍：100mm，
分度值：0.0001mm
粗 讀：0.01mm，
細(xì) 讀：0.001mm