P型N型10N11N12N13N高純鍺HPGe晶體 參考價(jià):200000
P型N型10N11N12N13N高純鍺HPGe晶體該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶...比利時(shí)umicore高純鍺HPGe晶體 參考價(jià):100001
比利時(shí)umicore高純鍺HPGe晶體該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可...umicore高純鍺晶體 參考價(jià):100001
umicore高純鍺晶體該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)...比利時(shí)umicore13N高純鍺HPGe晶體 參考價(jià):100001
比利時(shí)umicore13N高純鍺HPGe晶體該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)...比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體 參考價(jià):100001
比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠...8inch英寸鍺片 參考價(jià):100001
8inch英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由...8英寸鍺片 參考價(jià):100001
8英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長...鍺襯底 參考價(jià):100001
鍺片、鍺襯底 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和...鍺片 參考價(jià):100001
鍺片 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定...鍺片、鍺襯底 參考價(jià):100001
鍺片、鍺襯底 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和...高純鍺HPGe晶體 參考價(jià):100001
高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)