一、核心技術(shù)參數(shù)

1. 產(chǎn)品體系：弱堿性體系，采用高純度膠體二氧化硅（SiO?）作為研磨顆粒，不含TMAH，對EHS無害；

2. 選擇性：SiO?/Si?N?選擇性＞50:1，具備ji強(qiáng)的氮化硅停止效應(yīng)，可進(jìn)一步在鎢、鈷、多晶硅上實(shí)現(xiàn)停止；

3. 稀釋比例：高濃縮配方，可1:3–1:5稀釋使用，大幅降低使用成本；

4. 適配性：適配AMAT、Ebara、Lam等主流CMP設(shè)備，兼容IC1000、Suba IV等常規(guī)拋光墊；

5. 核心用途：專為STI淺槽隔離制程設(shè)計(jì)，用于xian進(jìn)邏輯與存儲器的前端氧化硅平坦化。

二、核心產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 氮化硅強(qiáng)停止，終點(diǎn)精準(zhǔn)：在氮化硅上具備穩(wěn)定的強(qiáng)停止效應(yīng)，blanket與圖形晶圓均能可靠停止，過拋余量充足，無氮化硅侵蝕；

2. 硅基超低缺陷，良率保障：采用高純度膠體二氧化硅，相比傳統(tǒng)鈰基漿料，顆粒、劃痕、腐蝕坑等缺陷顯著降低，無金屬離子污染，適配xian進(jìn)制程潔凈度要求；

3. 高濃縮降本，性價(jià)比突出：高固含量濃縮配方，稀釋后使用可降低運(yùn)輸與存儲成本，槽液壽命長，總擁有成本ji具競爭力；

4. 工藝友好，易集成：弱堿性體系對設(shè)備管路腐蝕性低，維護(hù)成本低，去除速率與選擇性可調(diào)，適配不同STI結(jié)構(gòu)與工藝節(jié)點(diǎn)；

5. 行業(yè)革新biao桿：推動STI工藝從鈰基轉(zhuǎn)向硅基，成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，覆蓋14nm–130nm全節(jié)點(diǎn)，尤其適配FinFET、3D NAND等高良率要求場景。

三、使用注意事項(xiàng)

1. 使用前需根據(jù)現(xiàn)場CMP設(shè)備參數(shù)，校準(zhǔn)稀釋比例、研磨壓力與轉(zhuǎn)速，確保研磨效果與終點(diǎn)控制穩(wěn)定；

2. 專為氧化硅研磨設(shè)計(jì)，僅適配STI淺槽隔離制程，不適合銅、鎢等金屬CMP場景；

3. 避免用于需高選擇性氧化硅/氮化硅的鈰基漿料替代場景，此類需求需選用專用型號；

4. 存儲需置于15℃-25℃、干燥避光環(huán)境，密封保存，避免受潮、暴曬與污染，防止磨粒團(tuán)聚；

5. 操作時(shí)做好防護(hù)，避免研磨液接觸皮膚與黏膜，廢棄廢液需按環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)妥善處理，同時(shí)遵守?；凡僮饕?guī)范。