光掩模是一種用于在半導體和液晶顯示器制造過程中將精細電路圖案轉移到基板上的母版。

根據制造工藝的不同，光學/深紫外光刻采用透射式掩模，極紫外光刻采用反射式掩模。深紫外光刻掩模由石英玻璃基板和鉻膜構成，而極紫外光刻掩模則由超平坦硅基板和多層反射及吸收層構成。通過曝光工具用光照射掩模，即可將電路圖案精確地轉移到光刻膠薄膜上。

隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，光掩模發(fā)揮著極其重要的作用。極紫外（EUV）曝光掩模是 半導體工藝的主流選擇，這些工藝對缺陷控制和薄膜厚度均勻性要求 高。然而，在10nm工藝級別之前，深紫外（DUV）曝光掩模也得到廣泛應用。

光掩模應用

光掩模廣泛應用于需要精細圖案的行業(yè)。典型應用如下所示。

1. 半導體

集成電路、存儲器和處理器的制造需要多層結構，每一層都使用專用的光掩模形成。高精度掩模的使用確保了線寬的均勻性和對準精度，從而實現了 器件的大規(guī)模生產。

2. 顯示屏

光掩模用于形成液晶面板和OLED顯示器的像素結構。高分辨率顯示器需要精細、均勻的圖案，而掩模的質量直接關系到圖像質量和使用壽命。能夠在大尺寸基板上使用的光掩模在顯示器行業(yè)中不可缺。

3. 微機電系統(tǒng)

諸如加速度傳感器和壓力傳感器之類的微機電系統(tǒng)（MEMS）器件需要在硅襯底上形成微小結構。結合光刻和蝕刻工藝，可以利用光掩模技術高精度地制造出微小而復雜的三維結構。

4. 太陽能電池

在硅基和薄膜太陽能電池的制造過程中，光掩模用于形成電極圖案。均勻的圖案形成能夠提高發(fā)電效率，并提升電池的長期可靠性。高精度掩模對于高效電池的開發(fā)尤為重要。