前驅(qū)體材料是集成電路 (ICs) 制造的基礎(chǔ)。在原子層沉積 (ALD) 工藝中，它們能夠控制半導(dǎo)體襯底上超薄薄膜的生長(zhǎng)，這是先進(jìn)器件架構(gòu)微縮化的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。但前驅(qū)體中即便僅存在痕量的金屬雜質(zhì)，也會(huì)降低薄膜性能與器件良率，因此供應(yīng)商和制造商會(huì)對(duì)這些材料進(jìn)行常規(guī)分析。電感耦合等離子體質(zhì)譜 (ICP-MS) 具有高靈敏度與多元素分析能力，已成為半導(dǎo)體材料雜質(zhì)元素檢測(cè)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)[1]。然而，由于前驅(qū)體金屬含量高（高基質(zhì)），基質(zhì)產(chǎn)生的多原子與雙電荷離子 (M++) 會(huì)對(duì)關(guān)鍵分析元素造成較大的譜圖干擾，僅憑單四極桿 ICP-MS 難以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確分析。過(guò)去，高分辨 (HR)-ICP-MS（m/?m 高達(dá) 10000）是解決這類分析問(wèn)題的最佳選擇，但仍不免有部分干擾所需的分辨率超過(guò)了當(dāng)前 HR-ICP-MS 儀器的能力。在這種情況下，雖然可通過(guò)稀釋樣品降低基質(zhì)元素濃度，但稀釋無(wú)法完全消除干擾，且可能影響檢出限。

串聯(lián)四極桿 ICP-MS（ICP-QQQ 或 ICP-MS/MS）結(jié)合碰撞/反應(yīng)池 (CRC) 氣體，通過(guò)選擇性地去除或避免干擾，克服了上述問(wèn)題，且不影響靈敏度。安捷倫 ICP-MS/MS 系統(tǒng)采用兩個(gè)四極桿（Q1 和 Q2）作為單位質(zhì)量過(guò)濾器，可實(shí)現(xiàn) MS/MS 操作并準(zhǔn)確控制反應(yīng)池氣體的使用。Q1 控制進(jìn)入 CRC 的離子，Q2 則控制最終到達(dá)檢測(cè)器的離子[2–4]。

在本研究中，我們?cè)u(píng)估了 Agilent 8900 ICP-MS/MS 測(cè)定三種模擬前驅(qū)體材料中關(guān)鍵分析元素的性能。每個(gè)樣品都含有高濃度的鉿 (Hf)、鋯 (Zr) 或鉬 (Mo) 基質(zhì)，分別會(huì)對(duì)鉑 (Pt)、銀 (Ag)，以及鎘 (Cd) 和鈦 (Ti) 造成干擾。為了證明 8900 ICPMS/MS 系統(tǒng)在不犧牲靈敏度的情況下消除質(zhì)譜干擾的能力，我們采用優(yōu)化的儀器操作條件，對(duì)三種基質(zhì)中的四種分析元素進(jìn)行了定量。