/recommend product
/Latest Products
?優(yōu)于A+標(biāo)準(zhǔn):以光譜精度助力科研–SS-LED220疊層電池性能驗(yàn)證光譜匹配度:光伏研究的核心指標(biāo)在太陽能電池領(lǐng)域,尤其是鈣鈦礦(Perovskites)與多結(jié)疊層(Multi-junctionta
光焱科技參與2025全國(guó)高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)|中國(guó)廣州2025/11/22-11/26時(shí)間:2025/11/22-26地點(diǎn):中國(guó)廣州展位:宴會(huì)廳門口Enlitech展示展位網(wǎng)站:中國(guó)化學(xué)會(huì)2025年全
時(shí)間:2025年10月24日-27日地點(diǎn):中國(guó)蘇州|獨(dú)墅湖世尊酒店主辦單位:中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所有機(jī)固體院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、蘇州大學(xué)Enlitech出席第15屆中日雙邊有機(jī)固體電導(dǎo)、光導(dǎo)與相關(guān)現(xiàn)象學(xué)術(shù)研討會(huì)
時(shí)間:2025年10月24日–26日(10月24日?qǐng)?bào)到)地點(diǎn):中國(guó)·廈門華僑大學(xué)主辦單位:華僑大學(xué)關(guān)于第十一屆鈣鈦礦材料與器件青年學(xué)者論壇Enlitech(光焱科技)將于2025年10月24日–26日
時(shí)間:2025/9/29–10/1地點(diǎn):德國(guó)·斯圖加特Enlitech將參加NatureConference:AdvancingPerovskite-BasedPhotovoltaics。本次會(huì)議將于
一、研究背景與挑戰(zhàn)建筑物營(yíng)運(yùn)約占電力消耗的30%,因此將太陽能采集技術(shù)整合至建筑立面,特別是高層建筑的玻璃幕墻,成為實(shí)現(xiàn)永續(xù)目標(biāo)的關(guān)鍵技術(shù)之一。光電窗(PhotovoltaicWindows)要求器件
一、研究背景與挑戰(zhàn)倒置鈣鈦礦太陽能電池效率快速提升,自組裝分子因其能級(jí)可調(diào)控、高空穴提取效率及超薄低損耗特性,成為理想的空穴選擇層。然而在ITO基板上透過溶液制程制備均勻致密的自組裝分子層仍具挑戰(zhàn)性。
穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器是光伏器件、光電材料等性能測(cè)試的核心設(shè)備,其操作的規(guī)范性直接決定測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性、設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性及操作人員安全。為規(guī)范設(shè)備使用流程,規(guī)避操作風(fēng)險(xiǎn),特制定本規(guī)范,適用于所有穩(wěn)態(tài)太陽光模擬
一、研究背景與挑戰(zhàn)鈣鈦礦/硅疊層太陽能電池(PVSK/SiTSCs)是突破單結(jié)器件理論效率極限的關(guān)鍵技術(shù),目前記錄效率已達(dá)34.6%,但距離45.1%的理論極限仍有改進(jìn)空間。主要瓶頸在于寬帶隙鈣鈦礦頂
西北工業(yè)大學(xué)涂用廣、北京大學(xué)朱瑞、華僑大學(xué)吳季懷教授團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)的研究,于2025年在學(xué)術(shù)期刊《德國(guó)應(yīng)用化學(xué)》(AngewandteChemieInternationalEdition)上發(fā)表了一篇名為R
一、研究背景與挑戰(zhàn)1.1瓶頸與研究目標(biāo)寬能隙鈣鈦礦太陽能電池(WBGPSCs)是構(gòu)建全鈣鈦礦疊層太陽能電池(TSCs)的核心組成部分。然而,這類電池面臨嚴(yán)重的非輻射復(fù)合和載流子提取受阻問題。過去的缺陷
研究背景:精確化學(xué)計(jì)量決定性能極限金屬鹵化物鈣鈦礦太陽能電池在過去十年實(shí)現(xiàn)了驚人的效率提升,從2009年的3.8%躍升至2025年鈣鈦礦-硅疊層電池的34.85%。然而,缺陷導(dǎo)致的開路電壓損失仍是限制
攻克鈍化串?dāng)_難題,實(shí)現(xiàn)高效疊層電池寬能隙鈣鈦礦在疊層太陽能電池中面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn):現(xiàn)有雙陽離子鈍化策略存在陽離子競(jìng)爭(zhēng)和表面偶極紊亂問題,導(dǎo)致界面缺陷和能級(jí)失配。北京理工大學(xué)李紅博教授、魏靜教授、陳怡華教授
暫無信息 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)