高溫氣氛箱式爐 參考價：面議
ZMF-1700C-H2高溫氣氛箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，以鉬絲作為加熱元件，爐門、爐頂采用高溫硅橡膠密封，爐門配備水冷系統(tǒng)。爐體上有進(jìn)氣口、出氣口、抽...
64L 1100℃馬弗爐 參考價：面議
64L 1100℃馬弗爐主要特點：1、可作為實驗室材料燒結(jié)爐、退火爐、熔煉爐、齒科爐等使用2、也可加裝通氣口，作為氮氣保護(hù)爐，氧化爐，炭化爐使用3、實驗室常備的...
1200℃以下系列箱式爐-1100℃迷你型馬弗爐 參考價：面議
1200℃以下系列箱式爐-1100℃迷你型馬弗爐，主要特點：1、該款馬弗爐體積只相當(dāng)于筆記本大小，功率1KW,重量只有12kg，實驗室常備通用型實驗電爐2、可作...
1200℃以下系列箱式爐之樣品旋轉(zhuǎn)迷你馬弗爐 參考價：面議
1200℃以下系列箱式爐之樣品旋轉(zhuǎn)迷你馬弗爐主要特點：1、內(nèi)含石英樣品平臺，可旋轉(zhuǎn)。2、保溫材料采用真空吸附成型的氧化鋁纖維無機(jī)材料，環(huán)保節(jié)能;3、爐體采用雙層...
1200℃中型箱式爐（MF-1200C-M）（18.7L） 參考價：面議
主要特點可作為實驗室材料燒結(jié)爐、退火爐、熔煉爐、齒科爐等使用也可加裝通氣口，作為氮氣保護(hù)爐，氧化爐，炭化爐使用實驗室常用的一款通用型實驗電爐
箱式爐MF-1200C-L 參考價：面議
主要特點保溫材料采用真空吸附成型的氧化鋁纖維無機(jī)材料，環(huán)保節(jié)能;爐體采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐子燒到最高溫度時，殼體表面溫度低于60℃用多種保溫材料組合制成，使?fàn)t子能...
排膠箱式爐（MF-1200C-D） 參考價：面議
主要特點 1、保溫材料采用真空吸附成型的氧化鋁纖維無機(jī)材料，環(huán)保節(jié)能，不含污物，潔凈，美觀。 2、采用模糊PID控制，智能PID精準(zhǔn)控制，溫場均勻?！ ?、...
排膠箱式爐 MF-1200C-L 參考價：面議
主要特點保溫層采用真空吸附成型的氧化鋁纖維無機(jī)材料，環(huán)保節(jié)能;采用模糊PID控制，控溫精度可達(dá)±1℃;爐體采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐子燒到最高溫度時，殼體表面溫度低于...
高真空自動循環(huán)設(shè)備 參考價：面議
BTF-1200C-HV高真空自動循環(huán)設(shè)備內(nèi)外雙熱電偶控制，內(nèi)熱電偶制動，使用者可以設(shè)定設(shè)備循環(huán)溫度點，可根據(jù)內(nèi)熱電偶測得的溫度制動，推動爐管進(jìn)出加熱腔體，整個...
碳納米管 參考價：面議
流化床—粉體碳納米管生長設(shè)備通過流量計和靜態(tài)混氣室把氣體均勻混拌，通過上通氣，氣體通過雙層管（夾層管預(yù)熱氣體，內(nèi)腔體生長碳納米管）確保通入的氣體進(jìn)入生長腔體內(nèi)溫...
復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備 參考價：面議
復(fù)合氧化物氫分離膜制備用CVD設(shè)備，可以實現(xiàn)在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學(xué)沉積上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和復(fù)合氧化物（Al2O3-S...
雙爐膛滑動CVD控制系統(tǒng) 參考價：面議
雙爐膛滑動CVD控制系統(tǒng)操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)...
連續(xù)進(jìn)出料回轉(zhuǎn)CVD生長設(shè)備 參考價：面議
連續(xù)進(jìn)出料回轉(zhuǎn)CVD生長設(shè)備爐管可360°旋轉(zhuǎn)，有助于粉料的燒結(jié)更均勻，可大角度傾斜，方便進(jìn)出料，傾斜角度在0-35°之間。
大三溫區(qū)滑軌CVD系統(tǒng)（低真空、高真空環(huán)境） 參考價：面議
BTF-1200C-III-SL-4ZL大三溫區(qū)滑軌CVD系統(tǒng)（低真空、高真空環(huán)境）控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶...
雙溫區(qū)磁力拉桿設(shè)備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源） 參考價：面議
雙溫區(qū)磁力拉桿設(shè)備（固態(tài)源、氣態(tài)源、多源）具有兩個獨立的溫場，溫場之外配有磁力拉桿和石英料舟，并配有內(nèi)探熱電偶，可實現(xiàn)在實驗過程中將固態(tài)源（如硫粉、硒粉等）推進(jìn)...
雙獨立溫區(qū)滑軌爐CVD設(shè)備（可于生長硫化鉬） 參考價：面議
雙獨立溫區(qū)滑軌爐CVD設(shè)備（可于生長硫化鉬）提供兩個獨立滑動的溫場，兩溫場獨立控制，每個溫場的加熱區(qū)的長度為230mm，可在實驗過程中推進(jìn)或推離樣品，提供兩個位...
小三溫區(qū)滑軌CVD 參考價：面議
小三溫區(qū)滑軌CVD控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能.
二維材料制備 參考價：面議
二維材料制備CVD系統(tǒng)前端配有可加熱到400℃的預(yù)加熱器，輔助二維材料蒸發(fā)，后端為雙溫區(qū)管式爐，溫度控制精確，操作簡便。并配質(zhì)量流量計系統(tǒng)和真空系統(tǒng)，可以準(zhǔn)確的...
1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)（低真空、高真空） 參考價：面議
BTF-1200C-II-CVD1200℃雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)（低真空、高真空）是由1200℃雙溫區(qū)開啟式管式爐、三路質(zhì)量流量計及低真空系統(tǒng)組成，根據(jù)工藝要求亦可選...
低真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
低真空CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計、低真空機(jī)組以及1500度高溫管式爐組成。其廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。
迷你型CVD系統(tǒng) 參考價：面議
BTF-1200C-S-CVD迷你型CVD系統(tǒng)控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能
滑軌式CVD石墨烯生長系統(tǒng) 參考價：面議
滑軌式CVD石墨烯生長系統(tǒng)是專為生長石墨烯、碳納米管研制的生長專用爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，溫區(qū)可獨立程序控制，設(shè)備操作時可將實驗需要的...
1700度高溫CVD系統(tǒng) （高真空 低真空可選） 參考價：面議
BTF-1700C-CVD1700度高溫CVD系統(tǒng) （高真空 低真空可選）是由1700度管式爐、三路質(zhì)量流量計系統(tǒng)以及國產(chǎn)高真空系統(tǒng)（或選配低真空系統(tǒng)）所組成。
定制鐘罩爐 參考價：面議
定制鐘罩爐控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能。(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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